DTC123EUAT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 6031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4532+ | 2.69 грн |
4560+ | 2.68 грн |
4602+ | 2.65 грн |
6000+ | 2.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123EUAT106 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.
Інші пропозиції DTC123EUAT106 за ціною від 1.09 грн до 20.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTC123EUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DTC123EUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DTC123EUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DTC123EUAT106 | Виробник : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA SOT-323 |
на замовлення 8819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
DTC123EUA-T106 |
на замовлення 706 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |