Продукція > DIODES INCORPORATED > DSS4160FDB-7
DSS4160FDB-7

DSS4160FDB-7 Diodes Incorporated

DSS4160FDB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPH U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 405mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.69 грн
10+ 38.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS4160FDB-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPH U-DFN2020-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 405mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 175MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Part Status: Active.

Інші пропозиції DSS4160FDB-7 за ціною від 12.01 грн до 47.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DSS4160FDB-7 DSS4160FDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS4160FDB.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+47.58 грн
10+ 39.96 грн
100+ 24.24 грн
500+ 18.85 грн
1000+ 15.39 грн
3000+ 12.95 грн
9000+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
DSS4160FDB-7 DSS4160FDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS4160FDB.pdf Description: TRANS NPH U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 405mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товар відсутній