DSS4160DS-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 60V 1A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN 60V 1A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.98 грн |
| 6000+ | 8.29 грн |
| 9000+ | 7.46 грн |
| 30000+ | 6.9 грн |
| 75000+ | 6.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSS4160DS-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DSS4160DS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 1.7 W, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 220, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Verlustleistung Pd: 1.7, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: PW Series, Verlustleistung, NPN: 1.7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 1, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DSS4160DS-7 за ціною від 7.12 грн до 43.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DSS4160DS-7 | Виробник : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DSS4160DS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 1.7 WtariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100 Übergangsfrequenz, NPN: 220 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60 DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung, NPN: 1.7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DSS4160DS-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 60V 1A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 308955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DSS4160DS-7 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN, NPN 60Vceo 1A 1.1W 200Hfe 150MHz |
на замовлення 5301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DSS4160DS-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS4160DS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 220 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Verlustleistung Pd: 1.7 Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60 DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: PW Series Verlustleistung, NPN: 1.7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|