DS1270Y-70IND# ANALOG DEVICES
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1270Y-70IND# - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 16MB, 2M x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.5V-5.5V, EDIP-36
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: 0
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 70ns
Zugriffszeit für Lesen: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023)
Description: ANALOG DEVICES - DS1270Y-70IND# - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 16MB, 2M x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.5V-5.5V, EDIP-36
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: 0
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 70ns
Zugriffszeit für Lesen: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 19357.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1270Y-70IND# ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1270Y-70IND# - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 16MB, 2M x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.5V-5.5V, EDIP-36, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: 0, Speicherdichte: 16Mbit, MSL: -, usEccn: 3A991.b.2.a, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 70ns, Zugriffszeit für Lesen: 70ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1270Y-70IND#
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
DS1270Y-70IND | Виробник : DALLAS | 06+ DIP |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
DS1270Y-70IND | Виробник : DALLAS | DIP-36 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
DS1270Y-70IND | Виробник : DS | DIP 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
DS1270Y-70IND# | Виробник : Maxim | NVRAM NVSRAM Parallel 16Mbit 5V 36-Pin EDIP |
товар відсутній |
||
DS1270Y-70IND# | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 16Mbit 5V 36-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
||
DS1270Y-70IND# | Виробник : Maxim |
EMOD 36/I°/RAM NV 16MEG 10% VTP 70NS IND ROHS DS1270 кількість в упаковці: 9 шт |
товар відсутній |
||
DS1270Y-70IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP |
товар відсутній |
||
DS1270Y-70IND# | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP |
товар відсутній |
||
DS1270Y-70IND | Виробник : Maxim Integrated | NVRAM 16M NV SRAM |
товар відсутній |
||
DS1270Y-70IND# | Виробник : Maxim Integrated | NVRAM 16M Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |
||
DS1270Y-70IND# | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 16M Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |