DS1250AB-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 5727 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1250AB-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1250AB-100
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
DS1250AB-100+ | Виробник : Maxim Integrated | Description: IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
DS1250AB-100 | Виробник : DALLAS | 2010+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
DS1250AB-100 | Виробник : DALLAS | DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
DS1250AB-100+ | Виробник : Maxim Integrated | NVRAM 4096K NV SRAM |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
DS1250AB-100+ | Виробник : Maxim | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP |
товар відсутній |
||
DS1250AB-100 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |