DS1245Y-70IND+ ANALOG DEVICES
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023)
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3009.1 грн |
11+ | 2791.22 грн |
33+ | 2691.16 грн |
110+ | 2135.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245Y-70IND+ ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1245Y-70IND+ за ціною від 3293.27 грн до 3852.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DS1245Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
DS1245Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
DS1245Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
DS1245Y-70IND | Виробник : DALLAS | PSDIP |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
DS1245Y-70IND+ | Виробник : Maxim |
1024K Nonvolatile SRAM DS1245 кількість в упаковці: 11 шт |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
DS1245Y-70IND | Виробник : DS | 03+; |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
DS1245Y-70IND | Виробник : DS | 02+; |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
DS1245Y-70IND | Виробник : DALLAS | DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
DS1245Y-70IND | Виробник : DALLAS | 09+ PLCC |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
DS1245Y-70IND | Виробник : DALLAS | 09+ |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
DS1245Y70IND+ | Виробник : DALLAS |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
DS1245Y70IND | Виробник : DALLAS |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
DS1245Y-70IND+ | Виробник : Maxim | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP |
товар відсутній |
||||||||
DS1245Y-70IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
||||||||
DS1245Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
||||||||
DS1245Y-70IND | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM |
товар відсутній |
||||||||
DS1245Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |