DMTH6010LPSQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0064 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 68.11 грн |
| 500+ | 53.65 грн |
| 1000+ | 49.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6010LPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0064 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMTH6010LPSQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506 |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506 |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A |
на замовлення 2038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R |
товар відсутній |
|
| DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMTH6010LPSQ-13 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||
|
|
DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506 |
товар відсутній |