DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13 Diodes Incorporated


DMTH6009LK3Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+37 грн
5000+ 33.93 грн
12500+ 33.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6009LK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMTH6009LK3Q-13 за ціною від 33.23 грн до 95.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6009LK3Q.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 65625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.48 грн
10+ 70.51 грн
100+ 54.81 грн
500+ 43.6 грн
1000+ 35.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6009LK3Q.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.67 грн
10+ 77.68 грн
100+ 52.44 грн
500+ 44.45 грн
1000+ 36.18 грн
2500+ 33.95 грн
5000+ 33.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMTH6009LK3Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6009LK3Q.pdf DMTH6009LK3Q-13 SMD N channel transistors
товар відсутній