Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH6009LK3-13
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13 Diodes Incorporated

DMTH6009LK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.63 грн
5000+ 30.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6009LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMTH6009LK3-13 за ціною від 30.14 грн до 87.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH6009LK3-13 DMTH6009LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6009LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.92 грн
10+ 64.07 грн
100+ 49.83 грн
500+ 39.63 грн
1000+ 32.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMTH6009LK3-13 DMTH6009LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6009LK3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.28 грн
10+ 70.56 грн
100+ 47.69 грн
500+ 40.43 грн
1000+ 32.95 грн
2500+ 30.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMTH6009LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6009LK3.pdf DMTH6009LK3-13 SMD N channel transistors
товар відсутній