DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1227500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.18 грн |
| 5000+ | 28.79 грн |
| 7500+ | 28.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0054 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMTH4007LPSQ-13 за ціною від 28.7 грн до 91.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH4007LPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1017500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH4007LPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0054 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4007LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1228498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH4007LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4007LPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0054 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH4007LPSQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 15.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMTH4007LPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMTH4007LPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMTH4007LPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 340A; 2.7W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.7W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 40V Drain current: 11A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 29.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 340A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMTH4007LPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 340A; 2.7W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.7W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Drain-source voltage: 40V Drain current: 11A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 29.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 340A |
товар відсутній |