DMT68M8LPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 69.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.47 грн |
| 5000+ | 17.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT68M8LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 0.0059 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMT68M8LPS-13 за ціною від 18.13 грн до 62.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT68M8LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 0.0059 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT68M8LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 69.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2078 pF @ 30 V |
на замовлення 6045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT68M8LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 2239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT68M8LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 0.0059 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMT68M8LPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 14.1A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMT68M8LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.2A; Idm: 270A; 2.4W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Kind of package: reel; tape Drain current: 11.2A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 270A On-state resistance: 10.8mΩ кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMT68M8LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.2A; Idm: 270A; 2.4W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Kind of package: reel; tape Drain current: 11.2A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 270A On-state resistance: 10.8mΩ |
товар відсутній |