на замовлення 36849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.24 грн |
| 10+ | 59.73 грн |
| 100+ | 35.89 грн |
| 500+ | 30.07 грн |
| 1000+ | 22.8 грн |
| 2500+ | 22.73 грн |
| 5000+ | 21.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6018LDR-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.9W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3030-8.
Інші пропозиції DMT6018LDR-13 за ціною від 19.78 грн до 91.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT6018LDR-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3030-8 |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3030-8 |
на замовлення 77880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 50A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.1A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.2W Case: V-DFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 50A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.1A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.2W Case: V-DFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |