на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 9.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6012LSS-13 Diodes Inc
Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6012LSS-13 за ціною від 8.78 грн до 48.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6012LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6012LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K |
на замовлення 124802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6012LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V |
на замовлення 10237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6012LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8 Case: SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.84W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 65A Gate charge: 22.2nC Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.4A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMT6012LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8 Case: SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.84W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 65A Gate charge: 22.2nC Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.4A |
товар відсутній |