DMT6009LCT Diodes Zetex
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 458+ | 26.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6009LCT Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6009LCT за ціною від 24.96 грн до 67.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6009LCT | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V |
на замовлення 1577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMT6009LCT | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMT6009LCT | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DMT6009LCT | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DMT6009LCT | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
| DMT6009LCT | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3 Case: TO220-3 Kind of package: tube Mounting: THT On-state resistance: 14.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 80A Gate charge: 33.5nC Drain-source voltage: 60V Drain current: 29.8A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| DMT6009LCT | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3 Case: TO220-3 Kind of package: tube Mounting: THT On-state resistance: 14.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 80A Gate charge: 33.5nC Drain-source voltage: 60V Drain current: 29.8A |
товар відсутній |