DMPH6050SK3Q-13

DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated


DMPH6050SK3Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.32 грн
5000+ 23.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMPH6050SK3Q-13 за ціною від 16.17 грн до 66.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Виробник : Diodes Zetex 1631008629954491dmph6050sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+29.62 грн
22+ 28.03 грн
25+ 27.86 грн
100+ 23.17 грн
250+ 21.24 грн
500+ 18.87 грн
1000+ 16.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Виробник : Diodes Zetex 1631008629954491dmph6050sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
407+30.01 грн
472+ 25.87 грн
477+ 25.61 грн
515+ 22.86 грн
1000+ 18.13 грн
Мінімальне замовлення: 407
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002832760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+34.7 грн
500+ 28.02 грн
1000+ 23.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH6050SK3Q.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60
на замовлення 12498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.93 грн
10+ 43.6 грн
100+ 28.49 грн
500+ 24.89 грн
1000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002832760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+60.12 грн
16+ 51.4 грн
100+ 34.7 грн
500+ 28.02 грн
1000+ 23.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH6050SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
на замовлення 11114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.14 грн
10+ 55.6 грн
100+ 38.5 грн
500+ 30.19 грн
1000+ 25.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Виробник : Diodes Inc 1631008629954491dmph6050sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Виробник : Diodes Zetex 1631008629954491dmph6050sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMPH6050SK3Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH6050SK3Q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMPH6050SK3Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH6050SK3Q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній