Продукція > DIODES INC > DMP6185SEQ-13
DMP6185SEQ-13

DMP6185SEQ-13 Diodes Inc

134dmp6185seq.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP6185SEQ-13 Diodes Inc

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMP6185SEQ-13 за ціною від 8.78 грн до 38.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP6185SEQ-13 DMP6185SEQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP6185SEQ.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP6185SEQ-13 DMP6185SEQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP6185SEQ.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.35 грн
11+ 28.1 грн
100+ 16.82 грн
500+ 14.62 грн
1000+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP6185SEQ-13 DMP6185SEQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145082_1-2542329.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.52 грн
11+ 30.36 грн
100+ 17.98 грн
500+ 13.52 грн
1000+ 10.14 грн
2500+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP6185SEQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP6185SEQ.pdf DMP6185SEQ-13 SMD P channel transistors
товар відсутній