на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6110SSS-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMP6110SSS-13 за ціною від 10.51 грн до 41.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 60V 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V |
на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC |
на замовлення 4862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V |
на замовлення 68305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMP6110SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.6A; Idm: -19A; 2W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 19.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -19A Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.6A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Power dissipation: 2W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMP6110SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.6A; Idm: -19A; 2W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 19.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -19A Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.6A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Power dissipation: 2W |
товар відсутній |