на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 33.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4013SPS-13 Diodes Zetex
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -244A; 3.4W, Gate charge: 67nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -244A, Mounting: SMD, Case: PowerDI5060-8, Drain-source voltage: -40V, Drain current: -9A, On-state resistance: 23mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 3.4W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMP4013SPS-13 за ціною від 28.92 грн до 85.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP4013SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP4013SPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
High Enhancement Mode MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
DMP4013SPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
High Enhancement Mode MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMP4013SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -244A; 3.4W Gate charge: 67nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -244A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -9A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMP4013SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMP4013SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -9A; Idm: -244A; 3.4W Gate charge: 67nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -244A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -9A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |