DMP4013LFGQ-7 Diodes Zetex
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 290+ | 21.06 грн |
| 500+ | 20.71 грн |
| 1000+ | 20.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4013LFGQ-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP4013LFGQ-7 за ціною від 19.85 грн до 94.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP4013LFGQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4013LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4013LFGQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4013LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 2917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFGQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 134714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4013LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.1W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMP4013LFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.1W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |