DMP3056LSDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 20.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3056LSDQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP3056LSDQ-13 за ціною від 14.03 грн до 54.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3056LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP3056LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP3056LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP3056LSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP3056LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP3056LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 52565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP3056LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 12998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP3056LSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP3056LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| DMP3056LSDQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
DMP3056LSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -24A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.8A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DMP3056LSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -24A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.8A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |