Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP3010LPSQ-13
DMP3010LPSQ-13

DMP3010LPSQ-13 Diodes Incorporated

DMP3010LPSQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
на замовлення 4165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.18 грн
5000+ 29.51 грн
12500+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP3010LPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.26W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMP3010LPSQ-13 за ціною від 30.89 грн до 87.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmp3010lpsq.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1040000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmp3010lpsq.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004395499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+55.92 грн
500+ 43.98 грн
1000+ 32.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmp3010lpsq.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+73.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3010LPSQ.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
на замовлення 4166740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.81 грн
10+ 61.29 грн
100+ 47.67 грн
500+ 37.92 грн
1000+ 30.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP3010LPSQ.pdf MOSFETs FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.28 грн
10+ 70.48 грн
100+ 47.69 грн
500+ 40.43 грн
1000+ 32.95 грн
2500+ 32.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 Виробник : Diodes Inc dmp3010lpsq.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP3010LPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3010LPSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.5A; Idm: -100A; 2.18W
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Case: PowerDI5060-8
Drain current: -11.5A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 126.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.18W
On-state resistance: 10mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMP3010LPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP3010LPSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.5A; Idm: -100A; 2.18W
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Case: PowerDI5060-8
Drain current: -11.5A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 126.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.18W
On-state resistance: 10mΩ
товар відсутній