на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.19 грн |
| 5000+ | 18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP3010LK3-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm.
Інші пропозиції DMP3010LK3-13 за ціною від 19.28 грн до 72.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3010LK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3010LK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3010LK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3010LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 1.7W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Drain-source voltage: -30V Drain current: -14.5A On-state resistance: 10.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V |
на замовлення 7201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP3010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V TO252 T&R 2.5K |
на замовлення 18393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3010LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 1.7W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Drain-source voltage: -30V Drain current: -14.5A On-state resistance: 10.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3010LK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP3010LK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMP3010LK3-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |