DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.01 грн |
6000+ | 10.07 грн |
9000+ | 9.35 грн |
30000+ | 8.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 530mW, Bauform - Transistor: X2-DFN2015, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMP2069UFY4-7 за ціною від 9.14 грн до 39.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMP2069UFY4-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMP2069UFY4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2015H4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V |
на замовлення 173300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMP2069UFY4-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET P-CHAN. |
на замовлення 23980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMP2069UFY4-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMP2069UFY4-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMP2069UFY4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 0.53W Case: X2-DFN2015-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMP2069UFY4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 0.53W Case: X2-DFN2015-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |