DMNH4026SSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.66 грн |
| 5000+ | 20.67 грн |
| 12500+ | 19.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMNH4026SSD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 7.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції DMNH4026SSD-13 за ціною від 18.77 грн до 64.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMNH4026SSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMNH4026SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 7.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 17030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMNH4026SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 10691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMNH4026SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 60A; 2W; SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2W Gate charge: 19.1nC Polarisation: unipolar Drain current: 5.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 On-state resistance: 32mΩ кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMNH4026SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 60A; 2W; SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2W Gate charge: 19.1nC Polarisation: unipolar Drain current: 5.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 On-state resistance: 32mΩ |
товар відсутній |