Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN63D1LT-13
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13 Diodes Incorporated

DMN63D1LT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+8.46 грн
30000+ 8.02 грн
50000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D1LT-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN63D1LT-13 за ціною від 7.77 грн до 40.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN63D1LT-13 DMN63D1LT-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D1LT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 169689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.57 грн
12+ 27.12 грн
100+ 16.29 грн
500+ 14.15 грн
1000+ 9.62 грн
2000+ 8.86 грн
5000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN63D1LT-13 DMN63D1LT-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145016_1-2542661.pdf MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 16649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.62 грн
11+ 31.27 грн
100+ 15.11 грн
1000+ 9.5 грн
2500+ 9.06 грн
10000+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN63D1LT-13 Виробник : Diodes Inc dmn63d1lt.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMN63D1LT-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D1LT.pdf DMN63D1LT-13 SMD N channel transistors
товар відсутній