DMN62D0UWQ-7

DMN62D0UWQ-7 Diodes Incorporated


DMN62D0UWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.7 грн
6000+ 4.33 грн
9000+ 3.75 грн
30000+ 3.45 грн
75000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN62D0UWQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN62D0UWQ-7 за ціною від 3.24 грн до 28.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN62D0UWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 115433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.68 грн
18+ 17.61 грн
100+ 8.89 грн
500+ 6.81 грн
1000+ 5.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363660_1-2543053.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.11 грн
17+ 19.61 грн
100+ 7.05 грн
1000+ 5.25 грн
3000+ 4.39 грн
9000+ 3.38 грн
24000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN62D0UWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn62d0uwq.pdf High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMN62D0UWQ-7 Виробник : Diodes Inc dmn62d0uwq.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D0UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 470mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DMN62D0UWQ-7 DMN62D0UWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN62D0UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 470mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній