на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN62D0LFB-7B Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMN62D0LFB-7B за ціною від 4.77 грн до 33.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN62D0LFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN62D0LFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 2N7002 Family X2-DFN1006-3 T&R 10K |
на замовлення 9940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75mA; Idm: 1A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75mA Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75mA; Idm: 1A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75mA Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |