DMN4026SSDQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN4026SSDQ-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN4026SSDQ-13 за ціною від 25.1 грн до 67.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN4026SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN4026SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN4026SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss |
на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN4026SSDQ-13 | Виробник : DIODES/ZETEX |
2N-MOSFET 40V 7A 24mΩ 1.3W DMN4026SSDQ-13 Diodes TDMN4026ssdq кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
DMN4026SSDQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 7A Automotive 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN4026SSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMN4026SSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.2A; Idm: 70A; 1.1W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 7.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN4026SSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.2A; Idm: 70A; 1.1W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 7.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |