DMN4026SSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.8 грн |
| 5000+ | 19.54 грн |
| 12500+ | 18.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN4026SSD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN4026SSD-13 за ціною від 19.85 грн до 61.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN4026SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 20107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN4026SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss |
на замовлення 58246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN4026SSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMN4026SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN4026SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMN4026SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.2A; Idm: 70A; 1.1W; SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 32mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: 7.2A Drain-source voltage: 40V Case: SO8 Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Power dissipation: 1.1W кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN4026SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.2A; Idm: 70A; 1.1W; SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 32mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: 7.2A Drain-source voltage: 40V Case: SO8 Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Power dissipation: 1.1W |
товар відсутній |