на замовлення 11318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 29.62 грн |
| 17+ | 20.43 грн |
| 100+ | 7.34 грн |
| 1000+ | 4.6 грн |
| 2500+ | 4.39 грн |
| 10000+ | 3.74 грн |
| 20000+ | 3.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3730UFB4-7B Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 730mA; Idm: 3A; 690mW, Case: X2-DFN1006-3, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, On-state resistance: 0.73Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.69W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 1.6nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 3A, Drain current: 730mA, кількість в упаковці: 10000 шт.
Інші пропозиції DMN3730UFB4-7B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3730UFB4-7B | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 3-Pin X2-DFN T/R |
товар відсутній |
||
| DMN3730UFB4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 730mA; Idm: 3A; 690mW Case: X2-DFN1006-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V On-state resistance: 0.73Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.69W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 3A Drain current: 730mA кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||
| DMN3730UFB4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 730mA; Idm: 3A; 690mW Case: X2-DFN1006-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V On-state resistance: 0.73Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.69W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 3A Drain current: 730mA |
товар відсутній |