на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN313DLT-7 Diodes Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V.
Інші пропозиції DMN313DLT-7 за ціною від 2.03 грн до 24.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN313DLT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN313DLT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V |
на замовлення 35887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN313DLT-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch Enh Mode 0.5nc |
на замовлення 8182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN313DLT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 1.2A; 520mW; SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.52W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.5nC Case: SOT523 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.3A кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN313DLT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 1.2A; 520mW; SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.52W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.5nC Case: SOT523 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.3A |
товар відсутній |