Технічний опис DMN30H14DLY-13 Diodes Inc
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160mA; Idm: 1A; 2.2W; SOT89, Mounting: SMD, Drain current: 0.16A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 300V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT89, On-state resistance: 20Ω, Pulsed drain current: 1A, Power dissipation: 2.2W, Gate charge: 4nC, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMN30H14DLY-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN30H14DLY-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160mA; Idm: 1A; 2.2W; SOT89 Mounting: SMD Drain current: 0.16A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT89 On-state resistance: 20Ω Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 4nC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
 |
DMN30H14DLY-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89 |
товар відсутній |
|
 |
DMN30H14DLY-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 300V N-Ch Enh Mode 20Vgss 96pF 4nC |
товар відсутній |
|
| DMN30H14DLY-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160mA; Idm: 1A; 2.2W; SOT89 Mounting: SMD Drain current: 0.16A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT89 On-state resistance: 20Ω Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 4nC Polarisation: unipolar |
товар відсутній |