Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3070SSN-7
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated

DMN3070SSN.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 485840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.46 грн
6000+ 6.89 грн
9000+ 6.2 грн
30000+ 5.73 грн
75000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-59-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3070SSN-7 за ціною від 5.9 грн до 29.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN3070SSN-7 DMN3070SSN-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3070SSN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 487155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.23 грн
15+ 20.68 грн
100+ 12.4 грн
500+ 10.77 грн
1000+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN3070SSN-7 DMN3070SSN-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3070SSN.pdf MOSFET 30V N-CH MOSFET
на замовлення 21898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.62 грн
17+ 20.6 грн
100+ 10.72 грн
1000+ 7.55 грн
3000+ 6.55 грн
9000+ 6.26 грн
24000+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN3070SSN-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3070SSN.pdf DMN3070SSN-7 SMD N channel transistors
товар відсутній