на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3053L-7 Diodes Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 676 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3053L-7 за ціною від 5.31 грн до 30.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3053L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 676 pF @ 15 V |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3053L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 50mΩ Drain current: 3.5A Power dissipation: 0.48W Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3053L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 676 pF @ 15 V |
на замовлення 111045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3053L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3053L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 50mΩ Drain current: 3.5A Power dissipation: 0.48W Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|