DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7 Diodes Incorporated


DMN3033LSNQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3033LSNQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 6A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-59-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN3033LSNQ-7 за ціною від 11.01 грн до 39.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN3033LSNQ-7 DMN3033LSNQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3033LSNQ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.79 грн
11+ 29.15 грн
100+ 20.29 грн
500+ 14.87 грн
1000+ 12.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN3033LSNQ-7 DMN3033LSNQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3033LSNQ.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 6A 1.4W 2.1V
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+39.78 грн
10+ 33.59 грн
100+ 21.87 грн
500+ 17.19 грн
1000+ 13.31 грн
3000+ 11.29 грн
9000+ 11.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN3033LSNQ-7 Виробник : Diodes Zetex 1033dmn3033lsnq.pdf N-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN3033LSNQ-7 Виробник : Diodes Inc 1033dmn3033lsnq.pdf N-Channel Enhancement Mode Mosfet
товар відсутній
DMN3033LSNQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3033LSNQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 24A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN3033LSNQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3033LSNQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 24A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній