DMN3032LE-13

DMN3032LE-13 Diodes Inc


508dmn3032le.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 125000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3032LE-13 Diodes Inc

Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3032LE-13 за ціною від 10.37 грн до 52.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN3032LE-13 DMN3032LE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3032LE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 1109350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.27 грн
5000+ 12.12 грн
12500+ 11.26 грн
25000+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN3032LE-13 DMN3032LE-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3032LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Case: SOT223
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+38.73 грн
13+ 29.97 грн
71+ 12.44 грн
194+ 11.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN3032LE-13 DMN3032LE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3032LE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 1109756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.91 грн
10+ 32.37 грн
100+ 22.52 грн
500+ 16.5 грн
1000+ 13.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN3032LE-13 DMN3032LE-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3032LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.48 грн
10+ 37.35 грн
71+ 14.93 грн
194+ 14.12 грн
12500+ 14.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN3032LE-13 DMN3032LE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3032LE.pdf MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC
на замовлення 34653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+52.87 грн
10+ 44.84 грн
100+ 29.13 грн
500+ 22.87 грн
Мінімальне замовлення: 7