Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2710UW-13
DMN2710UW-13

DMN2710UW-13 Diodes Incorporated

DMN2710UW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.69 грн
20000+ 2.35 грн
30000+ 2.22 грн
50000+ 1.96 грн
70000+ 1.88 грн
100000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2710UW-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2710UW-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2710UW-13 Виробник : Diodes Inc dmn2710uw.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2710UW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UW-3084776.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K
товар відсутній