Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2710UV-7
DMN2710UV-7

DMN2710UV-7 Diodes Incorporated

DMN2710UV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.39 грн
6000+ 2.92 грн
9000+ 2.75 грн
15000+ 2.4 грн
21000+ 2.29 грн
30000+ 2.18 грн
75000+ 1.92 грн
150000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2710UV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN2710UV-7 за ціною від 2.3 грн до 18.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2710UV-7 DMN2710UV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 152079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+17.12 грн
31+ 9.74 грн
100+ 6.07 грн
500+ 4.18 грн
1000+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMN2710UV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UV-3103565.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 3K
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+18.71 грн
30+ 11.17 грн
100+ 4.46 грн
1000+ 3.81 грн
3000+ 2.88 грн
9000+ 2.37 грн
24000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMN2710UV-7 Виробник : Diodes Inc dmn2710uv.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній