DMN2501UFB4-7 Diodes Incorporated
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2501UFB4-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW, Mounting: SMD, Case: X2-DFN1006-3, Pulsed drain current: 6A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.4A, On-state resistance: 0.7Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.7W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 2nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції DMN2501UFB4-7 за ціною від 5.11 грн до 32.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2501UFB4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2501UFB4-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin X2-DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN2501UFB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW Mounting: SMD Case: X2-DFN1006-3 Pulsed drain current: 6A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2501UFB4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW Mounting: SMD Case: X2-DFN1006-3 Pulsed drain current: 6A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
товар відсутній |