DMN24H11DSQ-13

DMN24H11DSQ-13 Diodes Incorporated


DMN24H11DSQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 550000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+10.4 грн
30000+ 9.79 грн
50000+ 9.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN24H11DSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN24H11DSQ-13 за ціною від 9.96 грн до 38.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN24H11DSQ-13 DMN24H11DSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN24H11DSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 550000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.02 грн
11+ 28.85 грн
100+ 20.04 грн
500+ 14.68 грн
1000+ 11.93 грн
2000+ 10.67 грн
5000+ 9.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN24H11DSQ-13 DMN24H11DSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005736587_1-2542784.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.27 грн
11+ 32.18 грн
100+ 20.86 грн
500+ 16.47 грн
1000+ 12.73 грн
2500+ 11.58 грн
10000+ 10.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN24H11DSQ-13 Виробник : Diodes Inc dmn24h11dsq.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.27A Automotive T/R
товар відсутній
DMN24H11DSQ-13 DMN24H11DSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN24H11DSQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN24H11DSQ-13 DMN24H11DSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN24H11DSQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній