на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN24H11DS-7 Diodes Inc
Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN24H11DS-7 за ціною від 8.01 грн до 34.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN24H11DS-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 303000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN24H11DS-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 305200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN24H11DS-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V |
на замовлення 78460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN24H11DS-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 0.8A Case: SOT23 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.22A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 3.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMN24H11DS-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 0.8A Case: SOT23 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.22A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 3.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |