Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2451UFDQ-7
DMN2451UFDQ-7

DMN2451UFDQ-7 Diodes Incorporated

DMN2451UFDQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4776000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.9 грн
6000+ 5.43 грн
9000+ 4.7 грн
30000+ 4.33 грн
75000+ 3.58 грн
150000+ 3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2451UFDQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2451UFDQ-7 за ціною від 6.34 грн до 32.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2451UFDQ-7 DMN2451UFDQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2451UFDQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4778761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.68 грн
14+ 22.1 грн
100+ 11.16 грн
500+ 8.55 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2451UFDQ-7 Виробник : Diodes Inc DMN2451UFDQ.pdf MOSFET BVDSS: 8V24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
товар відсутній
DMN2451UFDQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2451UFDQ-3103572.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
товар відсутній