Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2400UFD-7
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7 Diodes Incorporated

DMN2400UFD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.55 грн
6000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2400UFD-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2400UFD-7 за ціною від 4.59 грн до 20.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2400UFD-7 DMN2400UFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2400UFD.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
на замовлення 101279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.23 грн
22+ 14.01 грн
100+ 7.09 грн
500+ 5.9 грн
1000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMN2400UFD-7 DMN2400UFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2400UFD-218741.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN2400UFD-7 Виробник : Diodes Inc 1272034264064249dmn2400ufd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R
товар відсутній