на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2400UFB-7 Diodes Inc
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V.
Інші пропозиції DMN2400UFB-7 за ціною від 2.17 грн до 25.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2400UFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V |
на замовлення 972000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN2400UFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V |
на замовлення 975744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN2400UFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K |
на замовлення 47870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| DMN2400UFB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 550mA; Idm: 3A; 470mW Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.47W Gate charge: 0.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 3A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.9Ω Drain current: 0.55A Drain-source voltage: 20V Case: X1-DFN1006-3 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| DMN2400UFB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 550mA; Idm: 3A; 470mW Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.47W Gate charge: 0.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 3A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.9Ω Drain current: 0.55A Drain-source voltage: 20V Case: X1-DFN1006-3 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товар відсутній |