Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2310UTQ-7
DMN2310UTQ-7

DMN2310UTQ-7 Diodes Incorporated

DMN2310UTQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5 грн
6000+ 4.6 грн
9000+ 3.98 грн
30000+ 3.66 грн
75000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2310UTQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2310UTQ-7 за ціною від 3.74 грн до 30.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN2310UTQ-7 DMN2310UTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2310UTQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.01 грн
17+ 18.66 грн
100+ 9.44 грн
500+ 7.23 грн
1000+ 5.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2310UTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012188337_1-2543695.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+30.46 грн
16+ 20.85 грн
100+ 7.48 грн
1000+ 5.54 грн
3000+ 4.96 грн
9000+ 4.24 грн
24000+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2310UTQ-7 Виробник : Diodes Inc dmn2310utq.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній