на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1592+ | 4.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2300UFD-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN2300UFD-7 за ціною від 5.68 грн до 31.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2300UFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V |
на замовлення 456000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN2300UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 630000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN2300UFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN2300UFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K |
на замовлення 18056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN2300UFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67.62 pF @ 25 V |
на замовлення 458708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN2300UFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2300UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.21 A, 0.2 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN2300UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
DMN2300UFD-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DMN2300UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.73A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| DMN2300UFD-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.34A; Idm: 6A; 470mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.34A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.47W Case: X1-DFN1212-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| DMN2300UFD-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.34A; Idm: 6A; 470mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.34A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.47W Case: X1-DFN1212-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |