на замовлення 1314000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2300U-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN2300U-7 за ціною від 6.22 грн до 36.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN2300U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V |
на замовлення 1152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2300U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2300U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2300U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2300U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V |
на замовлення 1154679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2300U-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K |
на замовлення 30987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2300U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2300U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN2300U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN2300U-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN2300U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.01A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 0.55W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN2300U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.01A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 0.55W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |