DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.21 грн |
6000+ | 7.58 грн |
9000+ | 6.82 грн |
30000+ | 6.31 грн |
75000+ | 5.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMN2230UQ-7 за ціною від 6.98 грн до 30.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN2230UQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A On-state resistance: 0.11Ω |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2230UQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW |
на замовлення 13186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2230UQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A On-state resistance: 0.11Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 966 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2230UQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V |
на замовлення 305753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2230UQ-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 20V 2A 110mΩ 600mW DMN2230UQ-7 Diodes TDMN2230uq кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 846 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN2230UQ-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN2230UQ-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |