на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3897+ | 3.13 грн |
39000+ | 2.86 грн |
78000+ | 2.67 грн |
117000+ | 2.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2058U-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN2058U-7 за ціною від 2.64 грн до 32.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.13W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V |
на замовлення 2169000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; 0.74W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.3A Power dissipation: 0.74W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; 0.74W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.3A Power dissipation: 0.74W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2280 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.13W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V |
на замовлення 2169028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS 8V-24V |
на замовлення 26321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
DMN2058U-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 740mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2058U-13; DMN2058U-7 TDMN2058U-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|