DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.11 грн |
| 6000+ | 9.24 грн |
| 9000+ | 8.58 грн |
| 30000+ | 7.87 грн |
| 75000+ | 7.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC25D0UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 400 mA, 400 mA, 3.8 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.8ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMC25D0UVT-7 за ціною від 9.06 грн до 35.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMC25D0UVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC25D0UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 400 mA, 400 mA, 3.8 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.8ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC25D0UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Part Status: Active |
на замовлення 310543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMC25D0UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V Enh Mode FET |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMC25D0UVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC25D0UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 400 mA, 400 mA, 3.8 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.8ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|